Aufbau- und Verbindungstechnologien müssen den unterschiedlichsten Erfordernissen von mikroelektronischen Systemen, MEMS, Photonics, RF und Leistungselektronik gerecht werden und entsprechend mit Si, SiC, GaN, GaAs, InP, Ge und anderen Halbleitermaterialien umgehen können. Reflow-Löten, Transient-Liquid-Phase-Löten (TLPB), Thermocompression-Bonden und Thermosonic-Bonden sind die bevorzugten Verbindungsmethoden für das Flip-Chip-Bonden.
Aufbau- und Verbindungstechnologien für 3D-Systeme sind insbesondere abhängig vom Technologieknoten: Schlüsselparameter sind u.a. Chipgröße, Anzahl I/O, Pad-Geometrien, Passivierungs-Schichten, Waferoberflächentopologien, Anschlusspads und Begrenzungen beim thermischen Budget, die während des Assembly-Prozesses eine Rolle spielen. Zusätzliche Herausforderungen in den Aufbau-und Verbindungstechnologien für 3D-Systeme stellen die Ausrichtungsgenauigkeit, Ausbeuteanforderungen und Leistungsfähigkeit dar, die den Anforderungen einer kosteneffektiven Herstellung nachkommen müssen.
Darüber hinaus verfügt die Abteilung über umfangreiches Know-how für das flussmittelfreie Assemblieren in der Photonik, für MEMS sowie beim hermetischen Versiegeln. Für photonische Anwendungen kann ein Präzisionsbonden mit einer Genauigkeit von 1 µm mittels Thermoden-Bondens oder mit lötunterstützten Selbstausrichtungsmethoden – mit oder ohne mechanische Stops – erzielt werden.