Fraunhofer-Institut für Zuverlässigkeit und Mikrointegration IZMSiCmodul
Eingebettetes Silizium-Carbid auf dem Weg zur Serienproduktion in der
Elektromobilität
Durch die Verwendung von SiC-Halbleitern und einen hochtemperaturtauglichen Aufbau können Leistungselektroniksysteme in Zukunft deutlich höhere Schaltfrequenzen und Leistungsdichten erreichen. Auch ihre Störanfälligkeit kann reduziert werden. Voraussetzung hierfür ist eine robuste Aufbau- und Verbindungstechnik (AVT), wie sie in SiCmodul entwickelt werden soll. Im Zentrum des Forschungsvorhabens steht eine skalierbare modulare Leistungselektronik (Antriebsumrichter) für Elektrofahrzeuge, die bei Temperaturen bis 200° C betrieben werden kann. Hierdurch kann der Umrichter unmittelbar am Motor platziert werden, was einen kompakteren und effizienteren Aufbau des Elektroantriebs ermöglicht.
