Um die überlegenen Eigenschaften von Wide-Bandgap-Halbleitern nutzen zu können, benötigen Leistungsmodule eine optimale thermische Leistung, gute parasitäre elektromagnetische Eigenschaften, hohe Temperaturbeständigkeit und die Möglichkeit eines hohen Integrationsgrades. Christoph Marczoks Paper zeigt einen neuen Aufbau für Leistungsmodule mit SiC-Leistungs-MOSFETs, bei denen mehrschichtige Keramiksubstrate mit direkter Wasserkühlung des Substrats verwendet werden. Mittels Transfer Molding werden die Leistungsmodule von einer metallisierten und strukturierten Kupferschicht umhüllt. SMD-Bauteile werden direkt auf diese Metallisierung gelötet. Des Weiteren beinhaltet der Artikel die Ergebnisse der Doppelpulsmessungen mit dem Leistungsmodul.

Weitere Autoren des Beitrags sind Prof. Eckart Hoene (Fraunhofer IZM), Tina Thomas (Fraunhofer IZM), Andreas Meyer (Rogers Germany GmbH) und Karsten Schmidt (Rogers Germany GmbH).

Die Preisverleihung findet am 7. Mai im Rahmen der Eröffnungsveranstaltung der PCIM Europe Konferenz in Nürnberg statt.