Fraunhofer-Institut für Zuverlässigkeit und Mikrointegration IZMUltra-feine Leiterbahnstrukturen und vertikale Kontakte
Das „semi-additiv Processing“ (SAP) ist die aktuell fortschrittlichste in der Industrie übliche Prozesstechnologie um ultrafeine Kupferstrukturen und (gestapelte oder versetzte) vertikale Kontakte zu erzeugen: Dabei wird auf eine sehr dünne (gesputterte) Metallschicht ein Lack appliziert und strukturiert, nun wird galvanisch Kupfer in die geöffneten Bereiche des Lacks abgeschieden, schließlich wird der Lack entfernt und die dünne Metallschickt selektiv geätzt.
Der Prozess wird am Fraunhofer IZM als advanced SAP (a-SAP) unter verschiedenen Gesichtspunkten weiterentwickelt und verbessert: die Erzeugung von vertikalen Kontakten (µ-vias) mittels Laserablation und Plasmaätzen, Evaluierung neuer Dielektrika für die Aufbaulagen, ultradünne gesputterte Metallschichten, chemisch verbesserte Lack-Systeme und Anwendung von Prozessen aus der Wafer-Fertigung wie Plasma-Veraschung um letztlich Strukturbreiten von 2 µm L/S auf großen Fabrikationssubstraten (bis zu 610 x 510 mm²) zu realisieren.
Die Technologien eignen sich um neue Anwendungsfelder wie Glass-Core-Substrate (GCS), das Panel Level Packaging (PLP) and Integrated Circuit Substrates (ICS) zu erschließen und weiter zu entwickeln.