Prof. Dr.-Ing. Ulrike Ganesh
Institutsleiterin
Die gebürtige Berlinerin Prof. Ulrike Ganesh studierte von 1999 bis 2005 Elektrotechnik an der Technischen Universität in Berlin und promovierte dort in Kollaboration mit Credence Systems DCG in Kalifornien (USA) zum Thema „Investigation of Laser Voltage Probing Signals in CMOS Transistors“. Sie erhielt hierfür 2008 den Doktortitel mit höchster Auszeichnung (summa cum laude).
Ihre wissenschaftliche Karriere führte sie von 2010 bis 2012 als Postdoc bei IBM in New York weiter. Im Anschluss war sie für die Forschung in der Fehleranalyse bei Qualcomm in San Diego verantwortlich. Ihre umfassenden Management-Erfahrungen baute sie ab 2016 im Bereich der Chipentwicklung für die Automobilindustrie in der Robert Bosch GmbH aus, von wo aus sie ab 2020 zur Bundesanstalt für Materialforschung und -prüfung wechselte, in der sie zuletzt die Abteilung „Zerstörungsfreie Prüfung“ leitete.
Seit August 2024 komplettiert Prof. Ganesh als renommierte Expertin auf dem Gebiet der Charakterisierung und Fehleranalyse von hochentwickelten Halbleitertechnologien mit ihren umfangreichen Erfahrungen aus ihrer langjährigen Tätigkeit in Forschung und Industrie die Institutsleitung am Fraunhofer IZM in der Doppelspitze mit Prof. Martin Schneider-Ramelow.
Ihre persönliche Stärke liegt in der Fähigkeit, komplexe Forschungsprojekte zu initiieren und dabei die verschiedenen Interessen und Kompetenzen der beteiligten Partner gewinnbringend zu vereinen. Ihre Expertise ist besonders wertvoll angesichts der zunehmenden Anforderungen an die Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit mikroelektronischer Systeme, z.B. für Chiplets oder Anwendungen wie das Quantencomputing, 6G, die Bioelektronik oder Hardwaresicherheit.