Tech News

Das Fraunhofer-Institut für Zuverlässigkeit und Mikrointegration IZM hat aufgrund des großen Industrieinteresses eine „Glass Panel Technology Group“ ins Leben gerufen. Diese Initiative zielt darauf ab, glasbasierte Substrate für das Advanced Packaging zu entwickeln und ihren Einsatz in der Datencentertechnologie und im High Performance Computing zu fördern. Glas bietet materialbedingt eine vielversprechende Grundlage für technologische Innovationen in der Mikroelektronik, insbesondere erlaubt die hohe Dimensionsstabilität Feinstleiterbahnen, auch unterhalb von 5μm als Strukturbreiten.

Ivan Ndip wurde für seinen herausragenden Beitrag zur Aus- und Weiterbildung in der Aufbau- und Verbindungstechnik (Microelectronic Packaging) mit dem IMAPS Outstanding Educator Award 2024 geehrt. IMAPS (International Microelectronics Assembly and Packaging Society) ist der weltweit größte Verband für die Förderung der Mikroelektronik und Aufbau- und Verbindungstechniken.

Zuverlässige mikroelektronische Systeme müssen vor ihrem Produkt-Release langwierig und kostenintensiv qualifiziert werden. Unter der Leitung des Fraunhofer IZM forschen namhafte Unternehmen, Forschungseinrichtungen und Universitäten daran, diese Tests durch neue Simulationsansätze deutlich schneller, flexibler und günstiger umzusetzen.

Wir freuen uns sehr, dass unser Kollege Nyake Gahein-Sama auf der diesjährigen IEEE Electronics System Integration Technology Conference (ESTC 2024) in Berlin mit dem Best Poster Award ausgezeichnet wurde. Er erhielt die Ehrung für seinen Beitrag zum Thema „Alignment Between Subsequent 3D Molding Layers for Optimized Performance of 3D Integrated Patch Antennas for Advanced Sensing Applications“.

Den Autoscheinwerfer zum Projektor werden lassen – für die technologische Umsetzung dieser Idee wurde das Fraunhofer IZM zusammen mit seinem Projektpartner ams-OSRAM für den Deutschen Zukunftspreis nominiert. Dem Team ist es gelungen, mit seinem „Digitalen Licht“ in Form winziger einzeln bedienbarer LED-Pixel eine Technologie zu entwickeln, die neue, ressourcenschonende Anwendungen ermöglicht.

Das »Green ICT Camp« fand vom 2. bis 6. September in Berlin statt. 40 Studierende aus ganz Deutschland befassten sich eine Woche lang mit den Themen nachhaltige Technologieentwicklung und Forschungsmöglichkeiten im Bereich grüner Mikroelektronik. Ausgerichtet wurde das erste Camp im Rahmen des Kompetenzzentrums für ressourcenbewusste Informations- und Kommunikationstechnik »Green ICT @ FMD« von Fraunhofer IZM, Fraunhofer HHI und Ferdinand-Braun-Institut.

Dresden: Drei Fraunhofer-Institute haben in Dresden eine zukunftsweisende Forschungsinitiative gestartet: das Chiplet Center of Excellence (CCoE). Gemeinsam mit der Wirtschaft wollen sie die Einführung von Chiplet-Technologien vorantreiben. Dafür werden erstmals für die Automobilindustrie Workflows und Methoden für das Elektronik-Design, die Umsetzung von Demonstratoren sowie die Bewertung der Zuverlässigkeit entwickelt.

Das Fraunhofer-Institut für Zuverlässigkeit und Mikrointegration IZM freut sich, die Ernennung von Prof. Dr.-Ing. Ulrike Ganesh als zweite Institutsleitung bekannt zu geben. Ab dem 01. August 2024 wird sie die Arbeit von Prof. Martin Schneider-Ramelow ergänzen und gemeinsam mit ihm die strategische Ausrichtung des Instituts gestalten.

Zur Beurteilung der Verbindungsqualität von Bondstellen (sog. „Wedges“) zum Chip werden Schertests durchgeführt. Dabei wird die Bondstelle mit einem Meißel seitlich abgeschert und die erforderliche Kraft und das Schadensbild analysiert. Um die Vorgänge beim Schervorgang besser zu verstehen, haben Wissenschaftler*innen der TU Berlin und des Fraunhofer IZM nun erstmals modelliert, was bei der Schädigung mechanisch passiert. So können Rückschlüsse auf die material- und prozessspezifischen Einflüsse von neuartigen, widerstandsfähigen Drahtmaterialien gezogen werden. Damit lässt sich die Bondqualität neuer Werkstoffe objektiver bewerten.

Ein europäisches Forschungs- und Industriekonsortium unter Leitung von Soitec hat mit der Entwicklung einer künftigen Generation von Hochfrequenz-Halbleitern auf der Basis von Indiumphosphid (InP) begonnen. Diese Technologien sollen für Anwendungen eingesetzt werden, die von der Photonik für KI-Megarechenzentren bis hin zu Hochfrequenzfiltern reichen, die für die 6G-Mobilkommunikation und darüber hinaus entscheidend sind.